電界効果トランジスタ (FET)
半導体カーボンナノチューブはハイパフォーマンス及び低コストの薄膜トランジスタデバイスで使われている従来の半導体に取って代わる可能性があります。近年、薄膜トランジスタはLCDとOLCDのバックプレーンに使われています。フレキシブルエレクトロニクス産業が進化するにつれ、薄膜トランジスタが様々な用途に使われると予想されます。
分別されたカーボンナノチューブの実証済みの結果
IBM と the University of Southern Californiaは 当社のIsoNanotubes-Sを使って、今まで文献で報告されている中でオンオフ比と駆動電流が最もよい薄膜トランジスタを作成しました。 (Wang, C. et. al., Nano Letters, (2009), 9, 12, 4285-4291) (Engel, M., et al., ACS Nano, (2008), 2, 2445-2452)
FETは近代のエレクトロニクスの土台とされてきました。過去数十年の間、FETはシリコンやガリウムヒ素などをアクティブチャンネルマテリアルとして使った半導体を使って作成されてきました
しかし、これらのマテリアルを使ったFETのパフォーマンスおよびプロセシングの限界はもうすでに実証されました。半導体カーボンナノチューブは今までのハイパフォーマンス及び低価格FETデバイスを向上させるために最適と考えられています。
カーボンナノチューブの利点
- 高い移動度： 半導体カーボンナノチューブは結晶シリコン (~100,000 cm2/ V•s)よりも高いキャリア移動度があると証明されました。
- 加工のしやすさ： カーボンナノチューブは様々な有機・無有機の溶液に分散させることが可能です。それらの溶液はインクジェットやroll-to-roll プロセスなどを使って、グラスやプラスチックなどの基板に簡単に印刷することができます。
- ショットキー障害の減少： 大きい直径の半導体カーボンナノチューブは、プラチナ、チタン、アルミニウムなどの標準なソース・ドレイン電極マテリアルと使うとショットキー障害が減少します。
- バンドギャップによる分別： DGU法を使ってカーボンナノチューブを直径とバンドギャップによって分別することができます。当社はバンドギャップが0.6 から 1.4 Evで単分散なカーボンナノチューブをご提供することができます。
